2025年中國薄膜沉積裝置?行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈圖譜、發(fā)展現(xiàn)狀、重點企業(yè)及未來發(fā)展趨勢研判：先進(jìn)制程與國產(chǎn)化雙引擎加速，新興應(yīng)用拓寬成長空間[圖]

內(nèi)容概要：薄膜沉積裝置作為微納制造與精密加工的核心設(shè)備，通過物理或化學(xué)方法在基底材料表面沉積功能性薄膜，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、顯示面板等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場中，中國大陸已連續(xù)五年成為全球最大市場，2024年銷售額達(dá)495.5億美元，占全球總量的42%，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長動能。與此同時，隨著芯片結(jié)構(gòu)從平面向立體演進(jìn)，3D NAND、FinFET等架構(gòu)推動薄膜沉積層數(shù)大幅增加，2024年全球薄膜沉積裝置市場規(guī)模達(dá)231.86億美元，占晶圓制造設(shè)備的22%。中國市場規(guī)模亦迅速擴(kuò)大，2024年達(dá)到約773.1億元，同比增長38.75%，其中國產(chǎn)設(shè)備在成熟制程已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并在14nm等先進(jìn)制程逐步導(dǎo)入產(chǎn)線驗證。未來，中國薄膜沉積裝置行業(yè)將在技術(shù)端加速ALD等先進(jìn)工藝的研發(fā)與應(yīng)用，在生態(tài)端推動“設(shè)備-材料-零部件”全鏈條協(xié)同，在應(yīng)用端持續(xù)拓展至光伏、新型顯示等泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，構(gòu)建自主可控、多元驅(qū)動的發(fā)展新格局。

上市企業(yè)：北方華創(chuàng)（002371.SZ）、拓荊科技（688072.SH）、中微公司（688012.SH）、微導(dǎo)納米（688147.SH）、盛美上海（688082.SH）

相關(guān)企業(yè)：浙江晟霖益嘉科技有限公司、深圳市新凱來技術(shù)有限公司、江蘇魯汶儀器股份有限公司、無錫尚積半導(dǎo)體科技股份有限公司、煙臺奇創(chuàng)芯源科技有限公司、無錫金源半導(dǎo)體科技有限公司、浙江東漸產(chǎn)業(yè)控股集團(tuán)有限公司、北京精誠鉑陽光電設(shè)備有限公司、安徽其芒光電科技有限公司、拓荊創(chuàng)益（沈陽）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司、福建鈞石能源有限公司

關(guān)鍵詞：薄膜沉積裝置?、半導(dǎo)體設(shè)備、薄膜沉積裝置?行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈、薄膜沉積裝置?發(fā)展現(xiàn)狀、薄膜沉積裝置市場規(guī)模、薄膜沉積裝置?企業(yè)布局、薄膜沉積裝置?發(fā)展趨勢

一、薄膜沉積裝置?行業(yè)相關(guān)概述

薄膜沉積裝置是一種工業(yè)設(shè)備，其核心功能是通過物理或化學(xué)方法在基底材料（如硅片、玻璃、金屬等）表面逐層沉積特定材料，形成具有光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)或機(jī)械性能的薄膜涂層。這些薄膜可改變基底材料的表面特性，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、顯示面板、新能源、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，是微納制造和精密加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。

薄膜沉積裝置主要分為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三大類。PVD通過物理濺射或蒸發(fā)材料進(jìn)行沉積，速度快、溫度低，主要用于金屬薄膜，但臺階覆蓋性較差；CVD依靠氣相化學(xué)反應(yīng)成膜，臺階覆蓋性好、薄膜質(zhì)量高，是沉積絕緣介質(zhì)膜的主流技術(shù)，但通常需要較高溫度；ALD則通過交替脈沖反應(yīng)物進(jìn)行單原子層沉積，具有極佳的均勻性和三維覆蓋能力，尤其適合復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)，盡管沉積速率較慢。這三種技術(shù)各有優(yōu)勢，在現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中互補(bǔ)并存。

二、中國薄膜沉積裝置行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

中國薄膜沉積裝置行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上游涵蓋機(jī)械類、電氣類、機(jī)電一體類、儀器儀表類、氣體輸送系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等原材料與零部件供應(yīng)，這些基礎(chǔ)組件的質(zhì)量和性能直接影響設(shè)備運行的穩(wěn)定性與可靠性；中游聚焦薄膜沉積裝置的研發(fā)、生產(chǎn)與制造，核心企業(yè)通過技術(shù)創(chuàng)新突破技術(shù)壁壘，形成以物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）為主的技術(shù)路線，其中拓荊科技在PECVD、ALD設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)國內(nèi)領(lǐng)先地位，北方華創(chuàng)則主導(dǎo)PVD工藝裝備市場；下游廣泛應(yīng)用于集成電路制造、光伏電池、新型顯示等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，其中芯片制造對設(shè)備技術(shù)要求最高，直接驅(qū)動著中游產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級與創(chuàng)新發(fā)展。

相關(guān)報告：智研咨詢發(fā)布的《中國薄膜沉積裝置行業(yè)市場發(fā)展形勢及投資趨勢研判報告》

三、中國薄膜沉積裝置?行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝方向加速迭代，疊加國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)需求持續(xù)釋放，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迎來關(guān)鍵突破期。在技術(shù)端，國產(chǎn)設(shè)備通過中芯國際、長江存儲等頭部企業(yè)的產(chǎn)線驗證，在28nm及以上成熟制程實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，14nm先進(jìn)制程設(shè)備逐步進(jìn)入導(dǎo)入階段；在市場端，客戶導(dǎo)入與訂單轉(zhuǎn)化效率顯著提升，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)1171億美元，同比增長10%。其中，中國大陸市場表現(xiàn)尤為突出，全年設(shè)備銷售額達(dá)495.5億美元，同比增長35%，占全球比重提升至42%，創(chuàng)歷史新高，連續(xù)第五年穩(wěn)居全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場。

薄膜沉積裝置作為半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵設(shè)備，主要用于在硅片等襯底上沉積絕緣化合物、半導(dǎo)體材料及金屬等功能薄膜，以構(gòu)建芯片的電路結(jié)構(gòu)與功能層。該設(shè)備類別在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場中占比約22%，是晶圓制造中不可或缺的核心環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平與供應(yīng)能力直接影響芯片制造的良率與成本控制。

隨著芯片集成度不斷提升，單位面積內(nèi)集成的晶體管數(shù)量呈指數(shù)級增長，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)從平面向立體架構(gòu)演進(jìn)，這直接推動薄膜沉積需求大幅增加。一方面，3D NAND、FinFET等先進(jìn)架構(gòu)需要更多層數(shù)的薄膜來實現(xiàn)立體堆疊與精細(xì)電路設(shè)計，部分高端芯片的薄膜沉積工序已超100道；另一方面，薄膜的厚度均勻性、純度與臺階覆蓋率要求持續(xù)提高，進(jìn)一步拉動高端設(shè)備需求。在此背景下，2024年全球薄膜沉積裝置市場規(guī)模達(dá)231.86億美元，占晶圓制造設(shè)備總市場規(guī)模的22%，與半導(dǎo)體行業(yè)整體增長趨勢高度契合，成為細(xì)分領(lǐng)域中的增長主力。

在中國市場，隨著芯片制造產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展與國產(chǎn)化替代進(jìn)程深入推進(jìn)，薄膜沉積裝置市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。2024年國內(nèi)行業(yè)規(guī)模已達(dá)約773.1億元，同比增長38.75%。目前，以拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司、微導(dǎo)納米為代表的國內(nèi)企業(yè)，正通過技術(shù)突破與產(chǎn)品迭代，在多個細(xì)分領(lǐng)域逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代，共同推動中國薄膜沉積裝備產(chǎn)業(yè)邁向新發(fā)展階段。

四、中國薄膜沉積裝置行業(yè)企業(yè)競爭格局

中國薄膜沉積裝置行業(yè)的競爭格局層次清晰，呈現(xiàn)“國際巨頭主導(dǎo)高端、本土龍頭引領(lǐng)替代、特色企業(yè)細(xì)分突圍”的三級梯隊結(jié)構(gòu)。第一梯隊由應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)、東京電子等國際龍頭主導(dǎo)，憑借在5nm及以下先進(jìn)制程設(shè)備方面的技術(shù)壁壘、與全球頂尖晶圓廠的深度綁定，以及“設(shè)備+工藝”一體化服務(wù)能力，長期把控國內(nèi)高端市場核心份額，尤其在CVD、PVD等關(guān)鍵領(lǐng)域構(gòu)筑了堅實的專利護(hù)城河。第二梯隊以拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司、微導(dǎo)納米為代表，作為國產(chǎn)替代的中堅力量，在成熟制程與部分先進(jìn)工藝領(lǐng)域持續(xù)實現(xiàn)設(shè)備突破與批量導(dǎo)入。第三梯隊則聚集了一批如盛美上海、浙江晟霖益嘉、新凱來等創(chuàng)新型中小企業(yè)，它們避開主流高端競爭，專注深耕特色工藝、專用設(shè)備或提供高性價比定制化解決方案，在細(xì)分場景中構(gòu)建差異化優(yōu)勢，有力補(bǔ)充并完善了本土產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

目前，我國薄膜沉積裝置整體國產(chǎn)化率仍低于25%，但已形成由拓荊科技、北方華創(chuàng)、中微公司、微導(dǎo)納米等企業(yè)構(gòu)成的國產(chǎn)化梯隊。其中，拓荊科技作為國內(nèi)CVD設(shè)備龍頭，唯一實現(xiàn)PECVD、ALD等五大技術(shù)路線量產(chǎn)，其PECVD設(shè)備市占率居首；北方華創(chuàng)以前道全環(huán)節(jié)平臺化能力為優(yōu)勢，可單廠覆蓋超70%工藝環(huán)節(jié)；中微公司以“刻蝕+薄膜”雙核驅(qū)動，鎢沉積產(chǎn)品全面覆蓋存儲應(yīng)用并獲驗證；微導(dǎo)納米則專注ALD技術(shù)，率先突破High-k柵氧層工藝并進(jìn)入核心產(chǎn)線。各企業(yè)通過技術(shù)互補(bǔ)與差異化布局，共同構(gòu)建起日益完善的國產(chǎn)薄膜沉積裝置生態(tài)體系。

從企業(yè)經(jīng)營情況看，當(dāng)前我國薄膜沉積裝置領(lǐng)域重點企業(yè)呈現(xiàn)“高增長與盈利分化”并存的態(tài)勢：四大企業(yè)營收全線強(qiáng)勁增長，其中拓荊科技以超54%的增速領(lǐng)跑，中微公司保持43%以上的高增長，北方華創(chuàng)在高基數(shù)上實現(xiàn)約30%的穩(wěn)健增長，微導(dǎo)納米增速有所放緩；盈利能力方面，北方華創(chuàng)最為穩(wěn)定，毛利率約42%、凈利率近20%，微導(dǎo)納米凈利率大幅提升至18.32%，而拓荊科技因新產(chǎn)品驗證成本高企導(dǎo)致盈利明顯承壓，中微公司盈利能力小幅回調(diào)但仍處較高水平。各企業(yè)正以不同節(jié)奏推動國產(chǎn)薄膜沉積產(chǎn)業(yè)的整體崛起。

五、中國薄膜沉積裝置?行業(yè)發(fā)展趨勢分析

中國薄膜沉積裝置行業(yè)未來發(fā)展將呈現(xiàn)技術(shù)深耕、生態(tài)完善與場景拓展并行的核心趨勢。技術(shù)層面，伴隨半導(dǎo)體制程向3nm及以下節(jié)點突破與3DNAND堆疊層數(shù)提升，ALD技術(shù)因原子級沉積優(yōu)勢成為核心突破口，將在FinFET、GAA等三維結(jié)構(gòu)器件及高深寬比填充場景中加速滲透，同時PVD、CVD與ALD技術(shù)的協(xié)同融合成為工藝創(chuàng)新重點，本土企業(yè)正通過低溫沉積、模塊化平臺等差異化路徑縮小與國際巨頭的差距。產(chǎn)業(yè)生態(tài)上，國產(chǎn)替代將從單一設(shè)備突破邁向“設(shè)備-材料-零部件”全鏈條協(xié)同，政策扶持與晶圓廠驗證機(jī)會形成合力，推動核心零部件國產(chǎn)化率提升，同時加速構(gòu)建自主可控的供應(yīng)鏈體系。應(yīng)用場景則持續(xù)拓寬，在鞏固半導(dǎo)體主業(yè)的基礎(chǔ)上，向光伏TOPCon技術(shù)、新型顯示IGZO薄膜制備及量子芯片、MEMS等前沿領(lǐng)域延伸，形成多維度增長驅(qū)動力。具體發(fā)展趨勢如下：

1、技術(shù)攻堅：從“精度追趕”到“工藝定義”的突破躍遷

技術(shù)迭代將聚焦先進(jìn)制程的核心壁壘與工藝創(chuàng)新，實現(xiàn)從參數(shù)對標(biāo)到自主定義的升級。3nm及以下節(jié)點中，原子層沉積（ALD）設(shè)備需攻克亞埃級厚度均勻性與超低雜質(zhì)控制難題，以適配高k介質(zhì)、金屬柵極等關(guān)鍵工藝需求；3DNAND堆疊層數(shù)提升則推動ALD與CVD協(xié)同工藝成為主流，考驗設(shè)備對三維結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)填充能力。本土企業(yè)正通過差異化創(chuàng)新突圍，如開發(fā)微波等離子體ALD系統(tǒng)實現(xiàn)低溫高質(zhì)沉積，或推出模塊化平臺兼容多類沉積工藝，同時聯(lián)合高校與材料企業(yè)攻克前驅(qū)體等配套難題，逐步積累先進(jìn)制程的工藝Know-How。

2、國產(chǎn)進(jìn)階：從“設(shè)備替代”到“生態(tài)共建”的體系升級

國產(chǎn)替代將超越單一設(shè)備的進(jìn)口替代，邁向“設(shè)備-材料-零部件”全鏈條的生態(tài)協(xié)同構(gòu)建。政策端，國家大基金等持續(xù)聚焦核心環(huán)節(jié)研發(fā)，為產(chǎn)業(yè)鏈提供資金支撐；市場端，本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)為國產(chǎn)設(shè)備提供更多驗證與量產(chǎn)機(jī)會，加速技術(shù)迭代。針對真空泵、射頻電源等關(guān)鍵零部件的進(jìn)口依賴問題，行業(yè)正強(qiáng)化上下游聯(lián)動，設(shè)備企業(yè)與零部件廠商聯(lián)合攻關(guān)提升國產(chǎn)化率。同時，企業(yè)通過“本土驗證-海外試點”路徑拓展客戶，推動國產(chǎn)供應(yīng)鏈從“可用”向“可靠”“高效”轉(zhuǎn)型，夯實自主可控基礎(chǔ)。

3、場景拓展：從“半導(dǎo)體主業(yè)”到“多域滲透”的增長擴(kuò)容

行業(yè)增長邊界將持續(xù)拓寬，從傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域向泛半導(dǎo)體及新興高端制造場景延伸。在光伏領(lǐng)域，TOPCon等技術(shù)升級拉動PECVD設(shè)備需求，國產(chǎn)設(shè)備憑借性價比優(yōu)勢快速滲透；新型顯示領(lǐng)域，柔性基底與深紫外器件對低溫沉積技術(shù)的需求，催生專用ALD設(shè)備發(fā)展。更前沿的量子芯片制造需超導(dǎo)薄膜達(dá)到極高表面平整度，MEMS傳感器對壓電薄膜應(yīng)力控制要求嚴(yán)苛，這些新興場景為專注細(xì)分領(lǐng)域的本土企業(yè)提供了差異化突圍機(jī)會，推動薄膜沉積設(shè)備從“芯片核心裝備”向“多領(lǐng)域高端制造基礎(chǔ)工具”轉(zhuǎn)型。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（techappsinsider.com）發(fā)布的《中國薄膜沉積裝置行業(yè)市場發(fā)展形勢及投資趨勢研判報告》。智研咨詢是中國領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報告、商業(yè)計劃書、可行性研究報告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號，每天及時掌握更多行業(yè)動態(tài)。