碳化硅器件

趨勢(shì)研判！2025年全球及中國(guó)碳化硅器件行業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)鏈、市場(chǎng)規(guī)模、競(jìng)爭(zhēng)格局及發(fā)展趨勢(shì)：國(guó)產(chǎn)替代加速技術(shù)突破，碳化硅器件規(guī)模達(dá)27億元[圖]

碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一種寬禁帶電力電子器件，產(chǎn)品主要包括SiC二級(jí)管、SiC MOSFET、全SiC模塊（SiC二級(jí)管和SiC MOSFET構(gòu)成）、SiC混合模塊（SiC二級(jí)管和SiC IGBT構(gòu)成）等。碳化硅器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。